Рейтинг пользователей: / 1
ХудшийЛучший 
УДК УДК 537.311.33:669.782
Червоный Иван Федорович,Строителева Нина Ивановна,,,,,
ВЫРАЩИВАНИЕ БЕЗДИСЛОКАЦИОННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ С СОВЕРШЕННОЙ СТРУКТУРОЙ
Chervony I.F., Stroiteleva N.I.
GROWING NON-DESCRIPTIVE SILICON SILICONS WITH THE PERFECT STRUCTURE

Аннотация. В работе выполнен анализ условий образования микродефектной структуры в бездислокационных монокристаллах кремния. Установлено, что образованию свирл-дефектов способствует накопление примеси в расплаве у фронта кристаллизации при выращивании монокри­сталло

Ключевые слова: кремний, фронт кристаллизации, монокристалл, примесь, неоднородность, кислород, углерод, микросхема, концентрация, переохлаждение, фаза

Abstract. The analysis of terms of formation of a micro defect structure is executed in the dislocation-free single-crystals of silicon. It is set that formation of swirl defects is assisted by the accumulation of admixture in fusion at front of crystallization at

Keywords: silicon, front of crystallization, single-crystal, admixture, heterogeneity, oxygen, carbon, microcircuit, concentration, super cooling, phase

ЧИТАТЬ ВЕСЬ ТЕКСТ >>>