RadchenkoI.N.
В статье описана методика и приведены результаты расчета погрешности определения целевой концентрации носителей заряда при подготовке загрузки для роста слитков мультикристаллического кремния. Теоретический расчет проводился при использовании программы MathCAD 15. Измерения удельного электрического сопротивления на слитке, полученном при использовании описанной в статье загрузки, полностью соответствовали результатам расчета.
Ключевые слова: мультикристаллический кремний, концентрация носителей заряда, удельное электрическое сопротивление, погрешность.
The paper describes the methodology and results of a calculation error in determining of target carrier density during the feedstock preparation for multicrystalline silicon ingots growth. Theoretical calculation was performed using MathCAD. Resistivity measurements carried out on multisilicon ingot, produced using source materials described in the article, showed a good agreement with calculation results.
Key words: multicrystalline silicon, carrier density, electrical resistivity, error.