УДК 621.315.592
Павлик Б.В. , Кушлик М.О. , Дідик Р.І. , Слободзян Д.П. , Грипа А.С.
ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРИПОВЕРХНЕВИХ ШАРІВ КРИСТАЛІВ p- Si, З НАПИЛЕНИМИ ПЛІВКАМИ МЕТАЛІВ Ві ТА Al
Львівський національний університет імені Івана Франка,
Кафедра електроніки, м. Львів, вул. Тарнавського, 107, 79017
UDK 621.315.592
Pavlyk B.V. , Kushlyk M.O. , Didyk R.I. , Slobodzyan D.P. , Hrypa A.S.
ELECTRO-PHYSICAL CHARACTERISTICS OF Si (P-TYPE) NEAR SURFACE LAYERS WITH Al AND Bi FILMS
Department of Electronics, Ivan Franko National University of Lviv, Lviv, 107 Tarnawsky str., 79017
Зазначено що напилення плівок Bi та Al, викликає деформацію приповерхневого шару кремнію. Виявлено ефект гетерування дефектів з об’єму зразка, деформованим приповерхневим шаром та дифузія цих дефектів в об’єм металічної плівки. Досліджена температурна поведінка кристалічної структури при різних температурних режимах. Проведено теоретичні розрахунки максимальної глибини з якої гетеруються ці дефекти та параметрів дифузійних процесів на границі розділу кристал – метал.
Ключові слова: кремній, низькотемпературна дифузія, металічні плівки, дефекти невідповідності, гетерування дефектів.
It is noted that the deposition of Al and Bi films, causing deformation in the surface layer of silicon. The effect of defects gettering from volume of the sample to deformed surface layer and the effect of diffusion of these defects in the volume of metal film, ware found. The temperature behavior of the crystal structure at different temperatures. Theoretical calculations of the maximum depth from which gettering these defects and parameters of diffusion processes at the interface crystal - metal
Key words: Silicon, low-temperature diffusion, metal films, defects of discrepancy, gettering of the defects