УДК 621.315.592
Павлик Б.В., Слободзян Д.П., Грипа А.С., Лис Р.М., Кушлик М.О., Шикоряк Й.А., Дідик Р.І.
РАДІАЦІЙНО-ІНДУКОВАНІ ЗМІНИ ХАРАКТЕРИСТИК ПОВЕРХНЕВО-БАР’ЄРНИХ СТРУКТУР Bi-Si-Al
Львівський національний університет імені Івана Франка,
Львів, вул. ген.Тарнавського 107, 79017
UDC 621.315.592
Pavlyk B.V., Slobodzyan D.P., Hrypa A.S., Kushlyk M.O., Lys R.M.,
Shykoryak J.A., Didyk R.I.
RADIATION-STIMULATED CHANGES OF CHARACTERISTICS OF SURFACE-BARRIER STRUCTURES
Bi−Si−Al
Ivan Franko National University of L’viv, L’viv, Tarnawsky str.107, 79017
В даній роботі було розглядаються результати досліджень радіаційно-стимульованих змін електрофізичних характеристик поверхнево-бар'єрних структур на основі р-Si з різним питомим опором (ρ1 = 24 Ω·см, ρ2 = 10 Ω·см). Аналіз стану поверхні зразків був зроблений за допомогою атомно-силової мікроскопії. Показано, що дія опромінення призводить до еволюції структурних дефектів, зміни зарядового стану існуючих дефектів в залежності від дефектної структури кремнієвої підкладки.
Ключевые слова: рентгенівське опромінення, поверхнево-бар’єрна структура, дефекти, питомий опір, глибокі рівні.
This paper reviews the research results of radiation-stimulated changes of electophysical characteristics of surface-barrier structures based on p-Si with different resistivity (ρ1 = 24 Ω·сm, ρ2 = 10 Ω·сm). An analysis of the samples’ surface condition was made using atomic force microscopy. It is shown, that the action of irradiation leads to evolution of structural defects, change of charge state of existing defects depending on the defect structure of silicon substrate.
Key words: X-rays, surface-barrier structure, defects, resistivity, deep levels.