УДК 004.076.4
Ермаков И.В.
РЕАЛИЗАЦИЯ ЭСППЗУ С ОДНИМ ПОЛИКРЕМНИЕМ В КОНТАКТНОЙ МЕТКЕ С ОДНОПРОВОДНЫМ ИНТЕРФЕЙСОМ, ВЫПОЛНЕННОЙ ПО КМОП ТЕХНОЛОГИИ СБИС УРОВНЯ 0,18 МКМ
ОАО «НИИМЭ»,
Россия, 124460, Москва, Зеленоград, 1-ый Западный проезд, д. 12, стр. 1
UDC 004.076.4
Ermakov I.V.
SINGLE POLY EEPROM IMPLEMENTATION IN ONE WIRE CONTACT TAG PRODUCED BY 0,18 UM CMOS PROCESS
JSC «Research Institute of Molecular Electronics»,
Russia, 124460, Moscow, Zelenograd, 1-st Zapadny passage, 12 1
В докладе предложен принцип реализации полностью совместимой со стандартным 0,18 мкм КМОП процессом энергонезависимой памяти с одним поликремнием в приложении к контактному идентификационному устройству с однопроводным интерфейсом передачи данных. Рассмотрены конструкция, процессы записи, стирания и считывания ячейки КМОП совместимого ЭСППЗУ. Представлены схемы записи и считывания энергонезависимого элемента памяти с одним поликремнием, используемого в контактном идентификаторе.
Ключевые слова: ЭСППЗУ с одним поликремнием, КМОП флэш-память, КМОП совместимое ЭСППЗУ, полностью совместимый с КМОП технологией дизайн энергонезависимой памяти.
In this report an implementation concept of fully compatible with 0,18 um CMOS process single poly non-volatile memory in application to one wire contact identification device is suggested. Design, write, erase and read processes of CMOS compatible EEPROM are covered. Write, erase and read schematics of single poly non-volatile storage element which is used in the contact identification device are presented.
Key words: single poly EEPROM, CMOS flash-memory, CMOS compatible EEPROM, fully CMOS compatible design of non-volatile memory.