Рейтинг пользователей: / 2
ХудшийЛучший 

УДК 621.315.592

Горбачук Н.Т. 

ПЬЕЗОРЕЗИСТИВНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТЕНЗОДАТЧИКАХ 

Киевский национальный университет технологий и дизайна

Киев, Немировича-Данченка, 2, 01011

UDC 621.315.592

Gorbachuk N.T.

PIEZORESISTIVE EFFECT IN SEMICONDUCTORS AND SEMICONDUCTOR STRAIN SENSORS

Kiev State University of Technology and Design

Kiev, Nemirovicha-Danchenka, 2, 01011

В статье рассмотрены пьезоэффекты в полупроводниках типа кремния. Проанализирован механизм передачи деформации от  исследуемого объекта к чувствительному элементу тензодатчика.

Ключевые слова: коэффициенты пьезосопротивления, тензодатчик

The article describes the piezoelectric effect in semiconductors silicon. Strain transfer mechanism is analyzed from the researched object to the sensitive element of the strain sensor.

Keywords: piezoresistance coefficients, strain sensor


ЧИТАТЬ ВЕСЬ ТЕКСТ >>>

 
Секции-декабрь 2012