УДК 621.382
Аракеляан В.А.
РАЗРАБОТКА НИЗКОВОЛЬТНЫХ ИСТОЧНИКОВ ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ С ВЫСОКИМ КОЕФФИЦЕНТОМ ПОДАВЛЕНИЯ ПОМЕХ ПО ВХОДУ
Московский Институт Электронной Техники,
Москва, Зеленоград, проезд 4806, д.5.
UDC 621.382
Arakelyan V.A.
DESIGN OF LOW VOLTAGE HIGH POWER SUPPLY REJECTION RATIO BANDGAP REFERENCES
Moscow Institute of Electronic Technology,
Moscow, Zelenogred passage 4806, h.5.
В данном докладе предложена схемотехническая реализация низковольтного источника опорного напряжения с большим коэффициентом подавления помех по входу. В схеме используется обратное соединение для достижения низкого напряжения и большого подавления шумов питания. Схема была спроектирована и промоделирована по технологии 28нм КМОП с источником питания 1,8В. Результаты показывают, что коэффициент подавления помех по входу равен 70дб при частоте 1МГц, изменение опорного напряжения при вариации температуры от -40°C до 125°C составляет не боле 1.3%.
Ключевые слова: источник опорного напряжения (ИОН), коэффициент подавления помех по входу (КППВ)
In this report we describe the use of schematic realization of bandgap reference with high power supply rejection ratio. To reach the low voltage and high voltage power supply noise rejection in scheme there was used reverse connection. The circuit was designed and simulated with 28nm CMOS technology, supply voltage 1,8V. Results show that PSRR equal to 70db in case of 1GHz frequency, variation of bandgap voltage is not much than 1,3% in temperature range from -40°C to 125°C.
Key words: bandgap reference (BGR), power supply rejection ratio (PSRR)